BSS214NW L6327

מספר מוצר של יצרן:

BSS214NW L6327

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

BSS214NW L6327-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3

תיאור מפורט:

N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT323

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12838836

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

BSS214NW L6327 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Infineon Technologies

אריזות

-

סדרה

OptiMOS™

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

20 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

1.5A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

140mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

1.2V @ 3.7µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

0.8 nC @ 5 V

VGS (מקס')

±12V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

143 pF @ 10 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

500mW (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

PG-SOT323

חבילה / מארז

SC-70, SOT-323

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

BSS214NW L6327-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

SP000440880

BSS214NW L6327-DG

BSS214NWL6327

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק

BSS214NWH6327XTSA1

יצרן

Infineon Technologies

כמות זמינה

98899

DiGi מספר חלק

BSS214NWH6327XTSA1-DG

מחיר ליחידה

0.05

סוג משאב

Parametric Equivalent

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

FQPF46N15

MOSFET N-CH 150V 25.6A TO220F

onsemi

HUFA75307D3S

MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA

onsemi

FQD7N20LTM

MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK

onsemi

FDD86252

MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK